InGaN蓝光LED的半高宽是多少

InGaN蓝光LED的半高宽是宽度不超过2CM，高度不超过1CM，这里留100*60CM就够了。

晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。

但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。

发现历程：

1971年，雅克·彭哥芬（Jacques Pankove）和艾德·米勒（Ed Miller）两人论证了用掺锌（Zn）的氮化镓（GaN）制造出蓝光LED的可能性——尽管随后他们造出的第一个用氮化镓制成的LED是发绿光的。

斯坦福大学的赫伯·马洛斯卡（Herb Maruska）与威利·怀恩斯（Wally Rhines），以及该校的材料科学与工程学博士研究生们研发出了第一种能发出蓝紫光的LED。这种LED的材料为掺镁（Mg）的氮化镓。